金融界2024年3月26日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种可编程存储阵列、编程方法以及半导体存储器“，公开号CN117766006A，申请日期为2022年9月。

　　专利摘要显示，本公开实施例提供了一种可编程存储阵列、编程方法以及半导体存储器，可编程存储阵列包括多个存储单元，该存储单元包括串联的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的第一端与位线连接，第一晶体管的栅极端与编程线连接，第一晶体管的第二端与第二晶体管的第一端连接；第二晶体管的栅极端与字线连接，第二晶体管的第二端与第一预设电源连接；其中，在对存储单元编程时，控制第二晶体管处于导通状态，并控制第一晶体管的栅极端和第一晶体管的第一端的电压差大于0；在恢复存储单元时，控制第二晶体管处于导通状态，并控制第一晶体管的栅极和第一晶体管的第一端的电压差小于0。这样，不仅无需击穿栅氧层，并且能够实现对存储单元的多次编程。

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